toote omadused
TÜÜP
KIRJELDAGE
kategooria
Diskreetsed pooljuhttooted
Transistor – FET, MOSFET – massiiv
tootja
Infineon Technologies
seeria
HEXFET®
pakett
Lint ja rull (TR)
Nihkeriba (CT)
Digi-Reel® kohandatud rull
Toote olek
Laos
FET tüüp
2 N-kanalit (kahekordne)
FET funktsioon
loogika taseme värav
Äravooluallika pinge (Vdss)
60V
Praegune 25 °C juures – pidev tühjendus (Id)
8A
Sisselülitustakistus (max) erinevatel ID-del, Vgs
17,8 millioomi @ 8A, 10V
Vgs(th) (maksimaalne) erinevatel ID-del
4V @ 50µA
Värava laetus (Qg) erinevatel Vg-del (max)
36nC @ 10V
Sisendmahtuvus (Ciss) erinevatel Vd-del (max)
1330pF @ 30V
Võimsus-max
2W
Töötemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
paigaldustüüp
Pinnapealse paigalduse tüüp
Pakend/ümbris
8-SOIC (0,154 tolli, laius 3,90 mm)
Tarnija seadme pakend
8-SO
Põhitoote number
IRF7351
Meedia ja allalaadimised
RESSURSSI TÜÜP
LINK
Tehnilised andmed
IRF7351PBF
Muud seotud dokumendid
IR osade numeratsioonisüsteem
Tootekoolituse moodulid
Kõrgepinge integraallülitused (HVIC värava draiverid)
Soovitatavad tooted
Andmetöötlussüsteemid
HTML-i spetsifikatsioonid
IRF7351PBF
EDA/CAD mudel
Ultra raamatukoguhoidja IRF7351TRPBF
Simulatsioonimudel
IRF7351 Spice mudel
Keskkonna ja ekspordi klassifikatsioon
ATribuudid
KIRJELDAGE
RoHS staatus
Vastab ROHS3 spetsifikatsioonile
Niiskuse tundlikkuse tase (MSL)
1 (piiramatu)
REACH staatus
Mitte-REACH tooted
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
